🚀 产业动态
SK 海力士创纪录订购 80 亿美元 ASML EUV 光刻机
SK 海力士（SK Hynix）向 ASML 下达了创纪录的 80 亿美元 EUV 光刻机订单，计划在两年内支付最多 30 台 EUV 设备，用于 HBM 和先进 DRAM 生产。ASML 在 2025 年底报告有 388 亿欧元的订单积压。三星和台积电也是 EUV 设备的主要买家，三大内存制造商都在扩大产能以应对 AI 基础设施建设对全球 DRAM 和 HBM 供应的压力。
[来源：Tom’s Hardware] 查看详情 | 2026-03-25
SK 海力士计划采用台积电 3nm 工艺生产 HBM4E
SK 海力士正在评估在其 HBM4E 产品的逻辑芯片中使用台积电 3nm 工艺，以在性能上超越竞争对手三星电子。这一举措标志着 SK 海力士在下一代 HBM 产品上的技术升级战略。
[来源：DigiTimes] 查看详情 | 2026-03-23
亚洲芯片制造商 2026 年资本支出预计达 1360 亿美元
据报道，亚洲芯片制造商 2026 年资本支出预计将达到 1360 亿美元，同比增长 25%，涵盖代工厂和内存领域。三星计划 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%，主要集中在平泽 P4 工厂，增产将主要支持用于 HBM4 的 10nm 第六代（1C）DRAM。
[来源：DQIndia] 查看详情 | 2026-03-24
DDR5 内存短缺：AI 需求导致供应危机
2026 年内存短缺危机解析：AI 需求导致 DDR5 供应紧张。与 DDR5 不同，HBM 由于需要复杂封装而良率较低，因此需要更多 DRAM 晶圆才能以与消费级内存相当的速率生产 HBM 模块。芯片制造商不能忽视 HBM 模块的重要性，三星和 SK 海力士等供应商更倾向于将生产线 dedicated 给 AI 客户，因为 HBM 合同价格飙升。
[来源：Wccftech] 查看详情 | 2026-03-25
三星利用内存优势挑战台积电代工厂业务
三星代工厂业务收入下降 3.9% 至 126 亿美元，市场份额下降 2.2 个百分点至 7.2%。三星代工厂业务因良率问题难以吸引客户（去年报道良率低至 50%，而台积电超过 90%）。但三星代工厂可能找到了一张王牌：高带宽内存（HBM）。
[来源：The Daily Upside] 查看详情 | 2026-03-23
数据来源：Tom’s Hardware、DigiTimes、DQIndia、Wccftech 等权威媒体
生成时间：2026-03-29 08:00
时间范围：过去 7 天（周末搜索扩展）