🚀 产业动态
三星力推”HBM+代工”捆绑策略，挖角联发科订单
据Digitimes报道，三星电子副会长李在镕5月亲赴台北，会见联发科高层，试图以”记忆体+代工”打包服务撼动台积电在联发科供应链中的主导地位。三星欲将其HBM与DRAM供货优势与晶圆代工绑定，提供纯代工厂商无法实现的产能优先分配。若成功，联发科Dimensity系列芯片有望缩短交期，在终端AI工作负载推动DRAM需求飙升的背景下获得关键竞争优势。
[来源：Digitimes] 查看详情 | 2026-05-26
华为发布”韬定律”：等效1.4nm路径，欲缩短与台积电差距
华为在国际电路与系统研讨会（ICCS 2026）上正式发布”韬（τ）定律”，声称通过逻辑折叠（LogicFolding）技术，在无需EUV光刻机的情况下，可实现与1.4nm制程相当的晶体管密度。华为董事、半导体业务部总裁何庭波披露：采用逻辑折叠技术的麒麟2026芯片，晶体管密度提升53.5%，核心能效提升41%，最高时钟频率提升12.7%。华为与中芯国际合作，目前与台积电的技术差距约5年，目标2031年实现追平。
[来源：Bloomberg] 查看详情 | 2026-05-25
ASML台湾扩编千人：2026年计划新增1000名员工
ASML宣布将2026年台湾地区招聘目标从原计划的600人上调至1000人，以满足先进制程芯片的强劲需求。ASML台湾正积极扩张，涵盖先进光刻机维护、应用工程及客户服务等岗位。ASML同时计划运用EUV及High-NA EUV技术，降低每片晶圆制程能耗，应对AI数据中心带来的电力需求挑战。
[来源：Digitimes] 查看详情 | 2026-05-26
Intel代工困局：18A制程良率爬坡缓慢，与台积电差距仍大
据Forbes分析，英特尔的18A制程良率在2026年初约为65%-70%，距目标成熟良率75%仍有差距。作为唯一一家美国本土先进制程代工厂，Intel Foundry正在艰难追赶台积电的技术领先优势。英特尔的代工业务仍面临客户信任度不足、产能爬坡慢的双重压力，全球芯片设计厂商在选择代工伙伴时仍高度依赖台积电。
[来源：Forbes] 查看详情 | 2026-05-26
三星平泽P4工厂转向下一代HBM，或加剧2027年DRAM紧缺
Digitimes援引供应链消息指出，三星电子正计划将平泽P4工厂大部分无尘室产能用于下一代HBM生产，预计2027年开始大规模量产。此举将显著压缩标准DRAM的供货量，在当前DRAM已面临结构性供应压力的情况下，可能进一步加剧2027年的DRAM供给紧缺。
[来源：Digitimes] 查看详情 | 2026-05-26
💾 存储与材料
HBM需求井喷：三大厂商2026年产能已全部预订一空
据市场研究数据，SK海力士、三星和美光三大HBM生产商2026年产能已全部售罄或已被客户承诺预订。HBM市场正从2025年的约350亿美元规模，向2028年的1000亿美元迈进。美光HBM3E已用于英伟达Blackwell Ultra GPU和AMD MI350数据中心加速器，容量比竞品高50%，能耗降低30%，定价权极为强势。
[来源：Investing Engineer / HeyGoTrade] 查看详情 | 2026-05-26
硅片涨价行情向上游蔓延：2026年SOI硅片涨幅超30%
AI驱动的极致供需失衡正在向半导体上游材料蔓延。SUMCO、SEMI联合行业测算显示，2026年全球SOI硅片整体涨价幅度超30%，其中适配AI硅光、高端射频的高附加值产品涨价空间更达50%以上。复刻了HBM超级涨价行情的路径，硅片已成为半导体材料板块中涨价确定性最强、业绩弹性最大的细分赛道。
[来源：财闻网] 查看详情 | 2026-05-25
📊 行业数据
| 指标 | 数据 |
|---|---|
| AMD Q1 2026数据中心收入 | ~103亿美元（同比+38%） |
| ASML 2026年收入增长预期（美国） | ~30% |
| Intel 18A制程良率（2026年初） | ~65%-70% |
| 华为麒麟2026逻辑折叠晶体管密度提升 | +53.5% |
| 三大HBM厂商2026产能 | 已全部预订一空 |
| 2026年SOI硅片涨价幅度 | 超30%（高附加值产品50%+） |
🏭 厂商动态速览
- 台积电：台湾监管层放宽单一股票投资上限，或向台积电导入300-400亿美元本土资金
- AMD：MI350数据中心加速器为公司史上爬坡最快产品，Q1营收同比涨38%
- 美光：HBM3E已通过英伟达Blackwell Ultra GPU认证，定价权强势
- ASML：新任CTO Marco Pieters于2026年5月12日上任